离子植入术

离子植入是一个低温过程，可用于改变硅衬底的电性能，加速离子进入目标。离子植入工艺是否成功在很大程度上取决于离子植入机内真空的质量--以及控制和隔离高真空环境的真空阀。

为了对离子注入机的真空条件进行最佳的隔离和控制，就需要有能够精确控制的真空阀，同时在过程中表现出物理上的中性行为。

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